BSS606N-P Todos los transistores

 

BSS606N-P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSS606N-P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 34 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm

Encapsulados: SOT89

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BSS606N-P datasheet

 ..1. Size:3991K  cn tech public
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BSS606N-P

 7.1. Size:410K  infineon
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BSS606N-P

BSS606N OptiMOS -3 Small-Signal-Transistor Product Summary Features VDS 60 V N-channel RDS(on),max VGS=10 V 60 mW Enhancement mode VGS=4.5 V 90 Logic level (4.5V rated) ID 3.2 A Avalanche rated Qualified according to AEC Q101 PG-SOT-89 100%lead-free; Halogen-free; RoHS compliant 4 1 2 3 Type Package Tape and Reel Information Marking Halog

 9.1. Size:62K  comset
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BSS606N-P

NPN BSS60A-61A-62A SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS They are PNP transistors mounted in TO-39 metal package. They are designed for use in industrial switching applications e.g. print hammer, solenoid, relay and lamp driving . NPN complements are the BSS50A 51A 52A . Compliance to RoHS. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Valu

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History: SM6012NSQG | BSR302N | SMK0825FZ | AP4532GM-HF | PJM3401PSA | APM2605C | CS8N80A8H

 

 

 

 

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