BSS606N-P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSS606N-P
Código: 603N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.7 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 3.5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.3 V
Carga de la puerta (Qg): 6 nC
Tiempo de subida (tr): 15 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 34 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.12 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT89
Búsqueda de reemplazo de MOSFET BSS606N-P
BSS606N-P Datasheet (PDF)
bss606n.pdf
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Liste
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