Справочник MOSFET. BSS606N-P

 

BSS606N-P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSS606N-P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 34 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: SOT89
 

 Аналог (замена) для BSS606N-P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSS606N-P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3991K  cn tech public
 bss606n-p.pdf pdf_icon

BSS606N-P

 7.1. Size:410K  infineon
 bss606n.pdf pdf_icon

BSS606N-P

BSS606NOptiMOS-3 Small-Signal-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 60 V N-channelRDS(on),max VGS=10 V 60 mW Enhancement modeVGS=4.5 V 90 Logic level (4.5V rated)ID 3.2 A Avalanche rated Qualified according to AEC Q101PG-SOT-89 100%lead-free; Halogen-free; RoHS compliant4 1 2 3 Type Package Tape and Reel Information Marking Halog

 9.1. Size:62K  comset
 bss60a bss61a bss62a.pdf pdf_icon

BSS606N-P

NPN BSS60A-61A-62A SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORSThey are PNP transistors mounted in TO-39 metal package. They are designed for use in industrial switching applications e.g. print hammer, solenoid, relay and lamp driving . NPN complements are the BSS50A 51A 52A . Compliance to RoHS. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Valu

Другие MOSFET... STN4260 , STP4441 , STP601 , STP605D , STP6625 , 2N7002EM3T5G , 2N7002M3T5G , 2SK3541-P , P60NF06 , DMP21D0UFB4-P , NTJD5121NT1G , PCJ3139K , PDMN66D0LDW , PNTK3139PT5G , PRHP020N06 , PRZM002P02T2L , PUM6K31N .

History: TPM3134NX3 | AP2761R-A | TTP85N08A

 

 
Back to Top

 


 
.