BSS606N-P - описание и поиск аналогов

 

BSS606N-P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSS606N-P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 34 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm

Тип корпуса: SOT89

Аналог (замена) для BSS606N-P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSS606N-P даташит

 ..1. Size:3991K  cn tech public
 bss606n-p.pdf pdf_icon

BSS606N-P

 7.1. Size:410K  infineon
 bss606n.pdf pdf_icon

BSS606N-P

BSS606N OptiMOS -3 Small-Signal-Transistor Product Summary Features VDS 60 V N-channel RDS(on),max VGS=10 V 60 mW Enhancement mode VGS=4.5 V 90 Logic level (4.5V rated) ID 3.2 A Avalanche rated Qualified according to AEC Q101 PG-SOT-89 100%lead-free; Halogen-free; RoHS compliant 4 1 2 3 Type Package Tape and Reel Information Marking Halog

 9.1. Size:62K  comset
 bss60a bss61a bss62a.pdf pdf_icon

BSS606N-P

NPN BSS60A-61A-62A SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS They are PNP transistors mounted in TO-39 metal package. They are designed for use in industrial switching applications e.g. print hammer, solenoid, relay and lamp driving . NPN complements are the BSS50A 51A 52A . Compliance to RoHS. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Valu

Другие MOSFET... STN4260 , STP4441 , STP601 , STP605D , STP6625 , 2N7002EM3T5G , 2N7002M3T5G , 2SK3541-P , AO4407 , DMP21D0UFB4-P , NTJD5121NT1G , PCJ3139K , PDMN66D0LDW , PNTK3139PT5G , PRHP020N06 , PRZM002P02T2L , PUM6K31N .

History: IRF7473TRPBF | VS3640DB | STF15N60M2-EP | 2SK4080-ZK-E2-AY | STD40NF10 | AO8803 | SM4305PSKC

 

 

 

 

↑ Back to Top
.