NTJD5121NT1G Todos los transistores

 

NTJD5121NT1G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTJD5121NT1G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.2 Ohm

Encapsulados: SOT363

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NTJD5121NT1G datasheet

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NTJD5121NT1G

V 2.5

 5.1. Size:111K  onsemi
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NTJD5121NT1G

NTJD5121N Power MOSFET 60 V, 295 mA, Dual N-Channel with ESD Protection, SC-88 Features Low RDS(on) http //onsemi.com http //onsemi.com Low Gate Threshold Low Input Capacitance V(BR)DSS RDS(on) MAX ID Max ESD Protected Gate 1.6 W @ 10 V 295 mA This is a Pb-Free Device 60 V 2.5 W @ 4.5 V Applications Low Side Load Switch SC-88 (SOT-363) DC-DC Conver

 5.2. Size:69K  onsemi
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NTJD5121NT1G

NTJD5121N, NVJD5121N Power MOSFET 60 V, 295 mA, Dual N-Channel with ESD Protection, SC-88 Features Low RDS(on) www.onsemi.com www.onsemi.com Low Gate Threshold Low Input Capacitance V(BR)DSS RDS(on) MAX ID Max ESD Protected Gate 1.6 W @ 10 V 295 mA NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique 60 V 2.5 W @ 4.5 V Site and Control Change Requ

Otros transistores... STP601 , STP605D , STP6625 , 2N7002EM3T5G , 2N7002M3T5G , 2SK3541-P , BSS606N-P , DMP21D0UFB4-P , 4N60 , PCJ3139K , PDMN66D0LDW , PNTK3139PT5G , PRHP020N06 , PRZM002P02T2L , PUM6K31N , TPAO5401EL , TPAO5404EL .

History: NTR4101P | SI1028X | 4N100L-TA3-T | HY3810PM | 30N03A | STC5NF20V | BR20N40

 

 

 

 

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