NTJD5121NT1G - описание и поиск аналогов

 

NTJD5121NT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTJD5121NT1G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm

Тип корпуса: SOT363

Аналог (замена) для NTJD5121NT1G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTJD5121NT1G даташит

 ..1. Size:1935K  cn tech public
 ntjd5121nt1g.pdf pdf_icon

NTJD5121NT1G

V 2.5

 5.1. Size:111K  onsemi
 ntjd5121n.pdf pdf_icon

NTJD5121NT1G

NTJD5121N Power MOSFET 60 V, 295 mA, Dual N-Channel with ESD Protection, SC-88 Features Low RDS(on) http //onsemi.com http //onsemi.com Low Gate Threshold Low Input Capacitance V(BR)DSS RDS(on) MAX ID Max ESD Protected Gate 1.6 W @ 10 V 295 mA This is a Pb-Free Device 60 V 2.5 W @ 4.5 V Applications Low Side Load Switch SC-88 (SOT-363) DC-DC Conver

 5.2. Size:69K  onsemi
 ntjd5121n nvjd5121n.pdf pdf_icon

NTJD5121NT1G

NTJD5121N, NVJD5121N Power MOSFET 60 V, 295 mA, Dual N-Channel with ESD Protection, SC-88 Features Low RDS(on) www.onsemi.com www.onsemi.com Low Gate Threshold Low Input Capacitance V(BR)DSS RDS(on) MAX ID Max ESD Protected Gate 1.6 W @ 10 V 295 mA NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique 60 V 2.5 W @ 4.5 V Site and Control Change Requ

Другие MOSFET... STP601 , STP605D , STP6625 , 2N7002EM3T5G , 2N7002M3T5G , 2SK3541-P , BSS606N-P , DMP21D0UFB4-P , 4N60 , PCJ3139K , PDMN66D0LDW , PNTK3139PT5G , PRHP020N06 , PRZM002P02T2L , PUM6K31N , TPAO5401EL , TPAO5404EL .

History: IRF8714 | SM2225NSQG | 7240 | TSF50N06M | PCJ3139K | MMF60R280QTH | AOC3870

 

 

 

 

↑ Back to Top
.