Справочник MOSFET. NTJD5121NT1G

 

NTJD5121NT1G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTJD5121NT1G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm
   Тип корпуса: SOT363
 

 Аналог (замена) для NTJD5121NT1G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTJD5121NT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1935K  cn tech public
 ntjd5121nt1g.pdf pdf_icon

NTJD5121NT1G

V2.5

 5.1. Size:111K  onsemi
 ntjd5121n.pdf pdf_icon

NTJD5121NT1G

NTJD5121NPower MOSFET60 V, 295 mA, Dual N-Channel with ESDProtection, SC-88Features Low RDS(on)http://onsemi.comhttp://onsemi.com Low Gate Threshold Low Input CapacitanceV(BR)DSS RDS(on) MAX ID Max ESD Protected Gate1.6 W @ 10 V295 mA This is a Pb-Free Device 60 V2.5 W @ 4.5 VApplications Low Side Load SwitchSC-88 (SOT-363) DC-DC Conver

 5.2. Size:69K  onsemi
 ntjd5121n nvjd5121n.pdf pdf_icon

NTJD5121NT1G

NTJD5121N, NVJD5121NPower MOSFET60 V, 295 mA, Dual N-Channel with ESDProtection, SC-88Features Low RDS(on)www.onsemi.comwww.onsemi.com Low Gate Threshold Low Input CapacitanceV(BR)DSS RDS(on) MAX ID Max ESD Protected Gate1.6 W @ 10 V295 mA NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique 60 V2.5 W @ 4.5 VSite and Control Change Requ

Другие MOSFET... STP601 , STP605D , STP6625 , 2N7002EM3T5G , 2N7002M3T5G , 2SK3541-P , BSS606N-P , DMP21D0UFB4-P , 10N65 , PCJ3139K , PDMN66D0LDW , PNTK3139PT5G , PRHP020N06 , PRZM002P02T2L , PUM6K31N , TPAO5401EL , TPAO5404EL .

History: OSG65R140HSZF | RQ7E055AT | BUK7Y53-100B | FIR6N40FG | F4F60VX2 | MCP20N70 | ELM53401CA

 

 
Back to Top

 


 
.