FDA38N30 Todos los transistores

 

FDA38N30 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDA38N30
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 312 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 38 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3PN
 

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FDA38N30 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:445K  fairchild semi
 fda38n30.pdf pdf_icon

FDA38N30

May 2010UniFETTMFDA38N30N-Channel MOSFET300V, 38A, 0.085Features Description RDS(on) = 0.07 ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 19A These N-Channel enhancement mode power field effect transis-tors are produced using Fairchilds proprietary, planar stripe, Low gate charge ( typical 60 nC)DMOS technology. Low Crss ( typical 60 pF)This advanced technology has been esp

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History: IRF520FI | RP1H065SP | CMLDM5757 | BUZ231 | SI7664DP | 2N7008 | HM20N50A

 

 
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