FDA38N30 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDA38N30

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 312 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 300 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 38 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 5 V

Carga de compuerta (Qg): 60 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.085 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3PN

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FDA38N30 Datasheet (PDF)

1.1. fda38n30.pdf Size:445K _fairchild_semi

May 2010 UniFETTM FDA38N30 N-Channel MOSFET 300V, 38A, 0.085? Features Description � RDS(on) = 0.07? ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 19A These N-Channel enhancement mode power field effect transis- tors are produced using Fairchild�s proprietary, planar stripe, � Low gate charge ( typical 60 nC) DMOS technology. � Low Crss ( typical 60 pF) This advanced technology has been especially tailore

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