FDA38N30 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDA38N30
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 312 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 300 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V
Corriente continua de drenaje (Id): 38 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 5 V
Carga de compuerta (Qg): 60 nC
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.085 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO3PN
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDA38N30
FDA38N30 Datasheet (PDF)
1.1. fda38n30.pdf 
Size:445K _fairchild_semi
May 2010 UniFETTM FDA38N30 N-Channel MOSFET 300V, 38A, 0.085? Features Description RDS(on) = 0.07? ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 19A These N-Channel enhancement mode power field effect transis- tors are produced using Fairchilds proprietary, planar stripe, Low gate charge ( typical 60 nC) DMOS technology. Low Crss ( typical 60 pF) This advanced technology has been especially tailore
Otros transistores... FDA20N50F , FDA24N40F , STU402D , FDA24N50 , FDA24N50F , FDA28N50 , FDA28N50F , FDA33N25 , IRFP4229 , FDA50N50 , FDA59N25 , FDA59N30 , FDA69N25 , FDA70N20 , STU404D , FDA8440 , FDB016N04AL7 .
Liste
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