Справочник MOSFET. FDA38N30

 

FDA38N30 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDA38N30
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 60 nC
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: TO3PN
 

 Аналог (замена) для FDA38N30

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDA38N30 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:445K  fairchild semi
 fda38n30.pdf pdf_icon

FDA38N30

May 2010UniFETTMFDA38N30N-Channel MOSFET300V, 38A, 0.085Features Description RDS(on) = 0.07 ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 19A These N-Channel enhancement mode power field effect transis-tors are produced using Fairchilds proprietary, planar stripe, Low gate charge ( typical 60 nC)DMOS technology. Low Crss ( typical 60 pF)This advanced technology has been esp

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: ZVN4424ASTOA | 2SJ324

 

 
Back to Top

 


 
.