FDA38N30 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FDA38N30  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 300 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm

Тип корпуса: TO3PN

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для FDA38N30

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDA38N30 даташит

 ..1. Size:445K  fairchild semi
 fda38n30.pdf pdf_icon

FDA38N30

May 2010 UniFETTM FDA38N30 N-Channel MOSFET 300V, 38A, 0.085 Features Description RDS(on) = 0.07 ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 19A These N-Channel enhancement mode power field effect transis- tors are produced using Fairchild s proprietary, planar stripe, Low gate charge ( typical 60 nC) DMOS technology. Low Crss ( typical 60 pF) This advanced technology has been esp

Другие IGBT... FDA20N50F, FDA24N40F, STU402D, FDA24N50, FDA24N50F, FDA28N50, FDA28N50F, FDA33N25, IRF9640, FDA50N50, FDA59N25, FDA59N30, FDA69N25, FDA70N20, STU404D, FDA8440, FDB016N04AL7