FDA38N30 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FDA38N30
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 312 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 300 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 38 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 60 nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.085 Ohm
Тип корпуса: TO3PN
FDA38N30 Datasheet (PDF)
1.1. fda38n30.pdf 
Size:445K _fairchild_semi
May 2010 UniFETTM FDA38N30 N-Channel MOSFET 300V, 38A, 0.085? Features Description RDS(on) = 0.07? ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 19A These N-Channel enhancement mode power field effect transis- tors are produced using Fairchilds proprietary, planar stripe, Low gate charge ( typical 60 nC) DMOS technology. Low Crss ( typical 60 pF) This advanced technology has been especially tailore
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: WFD5N65L | W15NK90Z | VN1206N5 | TK13A60W | SUP70060E | STP140N6F7 | STH140N6F7 | STD140N6F7 | SIHG47N60AEF | R6018JNX | PSMN3R7-100BSE | P75NF75 | NVD4C05NT4G | NTHL040N65S3F | MTD300N20J3 |