PDMN66D0LDW MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PDMN66D0LDW
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
Encapsulados: SOT363
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PDMN66D0LDW datasheet
Otros transistores... STP6625 , 2N7002EM3T5G , 2N7002M3T5G , 2SK3541-P , BSS606N-P , DMP21D0UFB4-P , NTJD5121NT1G , PCJ3139K , IRF1407 , PNTK3139PT5G , PRHP020N06 , PRZM002P02T2L , PUM6K31N , TPAO5401EL , TPAO5404EL , TPCJ1012 , TPCJ2101 .
History: AGM405A | 2N6659X | NCE4606 | STG8820 | RD3P200SNFRA | SI2307DS
History: AGM405A | 2N6659X | NCE4606 | STG8820 | RD3P200SNFRA | SI2307DS
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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