PDMN66D0LDW Todos los transistores

 

PDMN66D0LDW MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PDMN66D0LDW
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT363
 

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PDMN66D0LDW Datasheet (PDF)

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PDMN66D0LDW

V2.5

Otros transistores... STP6625 , 2N7002EM3T5G , 2N7002M3T5G , 2SK3541-P , BSS606N-P , DMP21D0UFB4-P , NTJD5121NT1G , PCJ3139K , P0903BDG , PNTK3139PT5G , PRHP020N06 , PRZM002P02T2L , PUM6K31N , TPAO5401EL , TPAO5404EL , TPCJ1012 , TPCJ2101 .

History: RJK5013DPE | IPD60R1K5CE | CHM4435AZGP | MX2N4861 | 7NM65G-TF3-T | NTMFS4C054N | 2N4221A

 

 
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