PDMN66D0LDW Todos los transistores

 

PDMN66D0LDW MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PDMN66D0LDW

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm

Encapsulados: SOT363

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PDMN66D0LDW datasheet

 ..1. Size:1936K  cn tech public
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PDMN66D0LDW

V 2.5

Otros transistores... STP6625 , 2N7002EM3T5G , 2N7002M3T5G , 2SK3541-P , BSS606N-P , DMP21D0UFB4-P , NTJD5121NT1G , PCJ3139K , IRF1407 , PNTK3139PT5G , PRHP020N06 , PRZM002P02T2L , PUM6K31N , TPAO5401EL , TPAO5404EL , TPCJ1012 , TPCJ2101 .

History: AGM405A | 2N6659X | NCE4606 | STG8820 | RD3P200SNFRA | SI2307DS

 

 

 


History: AGM405A | 2N6659X | NCE4606 | STG8820 | RD3P200SNFRA | SI2307DS

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA

 

 

 

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