PDMN66D0LDW. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: PDMN66D0LDW
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
Тип корпуса: SOT363
Аналог (замена) для PDMN66D0LDW
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
PDMN66D0LDW даташит
Другие MOSFET... STP6625 , 2N7002EM3T5G , 2N7002M3T5G , 2SK3541-P , BSS606N-P , DMP21D0UFB4-P , NTJD5121NT1G , PCJ3139K , IRF1407 , PNTK3139PT5G , PRHP020N06 , PRZM002P02T2L , PUM6K31N , TPAO5401EL , TPAO5404EL , TPCJ1012 , TPCJ2101 .
History: VS4620DP-G | S-LBSS138WT1G
History: VS4620DP-G | S-LBSS138WT1G
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
2n3416 | bdx53c | k3563 | d882p | 2sb1560 | 2n1304 | 2sa979 | 2sc4793

