PDMN66D0LDW - описание и поиск аналогов

 

PDMN66D0LDW. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PDMN66D0LDW

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: SOT363

Аналог (замена) для PDMN66D0LDW

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PDMN66D0LDW даташит

 ..1. Size:1936K  cn tech public
pdmn66d0ldw.pdfpdf_icon

PDMN66D0LDW

V 2.5

Другие MOSFET... STP6625 , 2N7002EM3T5G , 2N7002M3T5G , 2SK3541-P , BSS606N-P , DMP21D0UFB4-P , NTJD5121NT1G , PCJ3139K , IRF1407 , PNTK3139PT5G , PRHP020N06 , PRZM002P02T2L , PUM6K31N , TPAO5401EL , TPAO5404EL , TPCJ1012 , TPCJ2101 .

History: VS4620DP-G | S-LBSS138WT1G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.