Справочник MOSFET. PDMN66D0LDW

 

PDMN66D0LDW MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PDMN66D0LDW
   Маркировка: TF*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.35 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.3 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 1.7 nC
   Время нарастания (tr): 50 ns
   Выходная емкость (Cd): 18 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT363

 Аналог (замена) для PDMN66D0LDW

 

 

PDMN66D0LDW Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1936K  cn tech public
pdmn66d0ldw.pdf

PDMN66D0LDW
PDMN66D0LDW

V2.5

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top