TPAO5401EL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TPAO5401EL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.28 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6(max) pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT523
Búsqueda de reemplazo de TPAO5401EL MOSFET
TPAO5401EL Datasheet (PDF)
tpao5401el.pdf
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tpao5404el.pdf
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History: ME4970G | NVD5867NL | FDP083N15AF102
History: ME4970G | NVD5867NL | FDP083N15AF102
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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