TPAO5401EL - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: TPAO5401EL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.28 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 6(max) pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
Тип корпуса: SOT523
Аналог (замена) для TPAO5401EL
TPAO5401EL Datasheet (PDF)
tpao5401el.pdf

WWW.TECHPUBLIC.COM.TWWWW.TECHPUBLIC.COM.TWWWW.TECHPUBLIC.COM.TWWWW.TECHPUBLIC.COM.TWWWW.TECHPUBLIC.COM.TWWWW.TECHPUBLIC.COM.TWWWW.TECHPUBLIC.COM.TWWWW.TECHPUBLIC.COM.TW WWW.TECHPUBLIC.COM.TWWWW.TECHPUBLIC.COM.TW WWW.TECHPUBLIC.COM.TWWWW.TECHPUBLIC.COM.TWWWW.TECHPUBLIC.COM.TWWWW.TECHPUBLIC.COM.TWWWW.TECHPUBLIC.COM.TW
tpao5404el.pdf

WWW.TECHPUBLIC.COM.TWWWW.TECHPUBLIC.COM.TWWWW.TECHPUBLIC.COM.TWWWW.TECHPUBLIC.COM.TWWWW.TECHPUBLIC.COM.TWWWW.TECHPUBLIC.COM.TWwww.techpublic.com.tw
Другие MOSFET... DMP21D0UFB4-P , NTJD5121NT1G , PCJ3139K , PDMN66D0LDW , PNTK3139PT5G , PRHP020N06 , PRZM002P02T2L , PUM6K31N , 2N60 , TPAO5404EL , TPCJ1012 , TPCJ2101 , TPCJ2102 , TPDMN26D0UFB4 , TPDMP2160UW , TPM1012ER3 , TPM1012R3 .
History: JMSL0406AGQ | 2SK1494-Z | HM2310B | BSP75G | FDB5690 | 2SK1399 | FDN8601
History: JMSL0406AGQ | 2SK1494-Z | HM2310B | BSP75G | FDB5690 | 2SK1399 | FDN8601



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2n1304 | 2sa979 | 2sc4793 | d965 | mje15031 | irfp150n | mj15025 | mp1620