TPCJ1012 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TPCJ1012
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.28 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20(max) pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT523
Búsqueda de reemplazo de TPCJ1012 MOSFET
TPCJ1012 Datasheet (PDF)
tpcj1012.pdf

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History: NVTFS5C471NL | ME7356-G | CED02N6A | SI4778DY | P5102FM | SVGP02R58NL5 | IXTC200N075T
History: NVTFS5C471NL | ME7356-G | CED02N6A | SI4778DY | P5102FM | SVGP02R58NL5 | IXTC200N075T



Liste
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MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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