TPCJ1012 Todos los transistores

 

TPCJ1012 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TPCJ1012
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.28 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20(max) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT523
 

 Búsqueda de reemplazo de TPCJ1012 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

TPCJ1012 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:363K  cn tech public
tpcj1012.pdf pdf_icon

TPCJ1012

WWW.TECHPUBLIC.COM.TWWWW.TECHPUBLIC.COM.TWWWW.TECHPUBLIC.COM.TWWWW.TECHPUBLIC.COM.TWWWW.TECHPUBLIC.COM.TWWWW.TECHPUBLIC.COM.TWWWW.TECHPUBLIC.COM.TWWWW.TECHPUBLIC.COM.TWWWW.TECHPUBLIC.COM.TWWWW.TECHPUBLIC.COM.TWWWW.TECHPUBLIC.COM.TWWWW.TECHPUBLIC.COM.TWWWW.TECHPUBLIC.COM.TWWWW.TECHPUBLIC.COM.TWWWW.TECHPUBLIC.COM.TWWWW.TECHPUBLIC.COM.TWWWW.TECHPUBLIC.COM.TW WWW.TE

Otros transistores... PCJ3139K , PDMN66D0LDW , PNTK3139PT5G , PRHP020N06 , PRZM002P02T2L , PUM6K31N , TPAO5401EL , TPAO5404EL , RU6888R , TPCJ2101 , TPCJ2102 , TPDMN26D0UFB4 , TPDMP2160UW , TPM1012ER3 , TPM1012R3 , TPM1013ER3 , TPM2008EP3 .

History: OSG65R290DEF | 2SK398 | SGSP472

 

 
Back to Top

 


History: OSG65R290DEF | 2SK398 | SGSP472

TPCJ1012
  TPCJ1012
  TPCJ1012
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF

 

 

 
Back to Top

 

Popular searches

2sc4793 | d965 | mje15031 | irfp150n | mj15025 | mp1620 | kta1381 | bf494

 


 
.