TPCJ1012 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TPCJ1012
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.28 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20(max) pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT523
Búsqueda de reemplazo de TPCJ1012 MOSFET
TPCJ1012 Datasheet (PDF)
tpcj1012.pdf

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History: ME4435 | 2SK3650-01S | IRF7468PBF
History: ME4435 | 2SK3650-01S | IRF7468PBF



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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