TPCJ1012 - описание и поиск аналогов

 

TPCJ1012. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TPCJ1012

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.28 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 max pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm

Тип корпуса: SOT523

Аналог (замена) для TPCJ1012

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPCJ1012 даташит

 ..1. Size:363K  cn tech public
tpcj1012.pdfpdf_icon

TPCJ1012

WWW.TECHPUBLIC.COM.TW WWW.TECHPUBLIC.COM.TW WWW.TECHPUBLIC.COM.TW WWW.TECHPUBLIC.COM.TW WWW.TECHPUBLIC.COM.TW WWW.TECHPUBLIC.COM.TW WWW.TECHPUBLIC.COM.TW WWW.TECHPUBLIC.COM.TW WWW.TECHPUBLIC.COM.TW WWW.TECHPUBLIC.COM.TW WWW.TECHPUBLIC.COM.TW WWW.TECHPUBLIC.COM.TW WWW.TECHPUBLIC.COM.TW WWW.TECHPUBLIC.COM.TW WWW.TECHPUBLIC.COM.TW WWW.TECHPUBLIC.COM.TW WWW.TECHPUBLIC.COM.TW WWW.TE

Другие MOSFET... PCJ3139K , PDMN66D0LDW , PNTK3139PT5G , PRHP020N06 , PRZM002P02T2L , PUM6K31N , TPAO5401EL , TPAO5404EL , 18N50 , TPCJ2101 , TPCJ2102 , TPDMN26D0UFB4 , TPDMP2160UW , TPM1012ER3 , TPM1012R3 , TPM1013ER3 , TPM2008EP3 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.