TPCJ2102 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TPCJ2102
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 54 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 46 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
Encapsulados: SOT323
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TPCJ2102 datasheet
Otros transistores... PNTK3139PT5G , PRHP020N06 , PRZM002P02T2L , PUM6K31N , TPAO5401EL , TPAO5404EL , TPCJ1012 , TPCJ2101 , IRF520 , TPDMN26D0UFB4 , TPDMP2160UW , TPM1012ER3 , TPM1012R3 , TPM1013ER3 , TPM2008EP3 , TPM2008EP3-A , TPM2008P3 .
History: AP4533GEM-HF | ZXMP10A18KTC | IRLS3034-7PPBF
History: AP4533GEM-HF | ZXMP10A18KTC | IRLS3034-7PPBF
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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