Справочник MOSFET. TPCJ2102

 

TPCJ2102 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TPCJ2102
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 54 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: SOT323
 

 Аналог (замена) для TPCJ2102

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPCJ2102 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1323K  cn tech public
tpcj2102.pdfpdf_icon

TPCJ2102

 7.1. Size:1540K  cn tech public
tpcj2101.pdfpdf_icon

TPCJ2102

Другие MOSFET... PNTK3139PT5G , PRHP020N06 , PRZM002P02T2L , PUM6K31N , TPAO5401EL , TPAO5404EL , TPCJ1012 , TPCJ2101 , CS150N03A8 , TPDMN26D0UFB4 , TPDMP2160UW , TPM1012ER3 , TPM1012R3 , TPM1013ER3 , TPM2008EP3 , TPM2008EP3-A , TPM2008P3 .

History: STD5NK50ZT4 | AOU3N50 | SSM3K15FV | 6N60KG-TA3-T | VBA4311 | 2P829G | UPA1764G

 

 
Back to Top

 


 
.