TPM2009EP3 Todos los transistores

 

TPM2009EP3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TPM2009EP3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.66 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm

Encapsulados: DFN1006-3

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TPM2009EP3 datasheet

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TPM2009EP3

TPM2008 P3 N-Channel Enhancement Mode MOSFET WWW.SOT23.COM.TW Application Features Load/Power Switching Surface Mount Package Interfacing Switching N-Channel Switch with Low RDS(on) Battery Management for Ultra Small Portable Operated at Low Logic Level Gate Drive Electronics ESD Protected Logic Level Shift Package and Pin Configuration Circuit diagram Circ

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TPM2008 EP3-A N-Channel Enhancement Mode MOSFET WWW.SOT23.COM.TW Application Features Load/Power Switching Surface Mount Package www.sot23.com.tw Interfacing Switching N-Channel Switch with Low RDS(on) Battery Management for Ultra Small Portable Operated at Low Logic Level Gate Drive www.sot23.com.tw Electronics ESD Protected www.sot23.com.tw Logic Level Shift

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History: RU7080S | 2SK2026-01 | TPM2019-3 | NTD4855N | BLVP304 | NTD4858N | WPM4803

 

 

 

 

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