Справочник MOSFET. TPM2009EP3

 

TPM2009EP3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TPM2009EP3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.66 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm
   Тип корпуса: DFN1006-3L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TPM2009EP3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:806K  cn tech public
 tpm2009ep3.pdf pdf_icon

TPM2009EP3

 8.1. Size:798K  cn tech public
 tpm2008p3.pdf pdf_icon

TPM2009EP3

TPM2008 P3N-Channel Enhancement Mode MOSFET WWW.SOT23.COM.TWApplication Features Load/Power Switching Surface Mount Package Interfacing Switching N-Channel Switch with Low RDS(on) Battery Management for Ultra Small Portable Operated at Low Logic Level Gate Drive Electronics ESD Protected Logic Level Shift Package and Pin Configuration Circuit diagram Circ

 8.2. Size:1699K  cn tech public
 tpm2008ep3.pdf pdf_icon

TPM2009EP3

 8.3. Size:1003K  cn tech public
 tpm2008ep3-a.pdf pdf_icon

TPM2009EP3

TPM2008 EP3-AN-Channel Enhancement Mode MOSFET WWW.SOT23.COM.TWApplication Features Load/Power Switching Surface Mount Packagewww.sot23.com.tw Interfacing Switching N-Channel Switch with Low RDS(on) Battery Management for Ultra Small Portable Operated at Low Logic Level Gate Drive www.sot23.com.twElectronics ESD Protectedwww.sot23.com.tw Logic Level Shift

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: MDS1521URH | VIS30023 | MTEE2N20FP | SI1402DH | 2N4338 | 2SK2940L | HGN024N06SL

 

 
Back to Top

 


 
.