TPM2101BC3 Todos los transistores

 

TPM2101BC3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TPM2101BC3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 54 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 47 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT323
 

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TPM2101BC3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:5092K  cn tech public
 tpm2101bc3.pdf pdf_icon

TPM2101BC3

TPM21 01 B C3P-Channel Enhancement-Mode MOS FETswww.sot23.com.twFeaturesApplications V -20V DSBattery protection I -2.0A DLoad switch R ( at V =-4.5V) 130 mohm DS(ON) GSPower management R ( at V =-2.5V) 170 mohm DS(ON) GS R ( at V =-1.8V) 250 mohm DS(ON) GSDSGSOT323Absolute Maximum Ratings (TA=25C unless otherwise

 8.1. Size:4545K  cn tech public
 tpm2102bc3.pdf pdf_icon

TPM2101BC3

TPM21 02B C3N-Channel Enhancement-Mode MOS FETswww.sot23.com.twFeaturesApplications V 20V DSBattery protection I 2.5A DLoad switch R ( at V =4.5V) 70 mohm DS(ON) GSPower management R ( at V =2.5V) 98 mohm DS(ON) GSDDSG GSOT323SAbsolute Maximum Ratings (TA=25C unless otherwise specified) Parameter Symbol Limit UnitDr

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History: S80N10RN | IXTH12N120

 

 
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