TPM2101BC3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TPM2101BC3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 3.9 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 54 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 47 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT323

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TPM2101BC3

TPM2101BC3 Datasheet (PDF)

..1. Size:5092K cn tech public
tpm2101bc3.pdf

TPM21 01 B C3P-Channel Enhancement-Mode MOS FETswww.sot23.com.twFeaturesApplications V -20V DSBattery protection I -2.0A DLoad switch R ( at V =-4.5V) 130 mohm DS(ON) GSPower management R ( at V =-2.5V) 170 mohm DS(ON) GS R ( at V =-1.8V) 250 mohm DS(ON) GSDSGSOT323Absolute Maximum Ratings (TA=25C unless otherwise

8.1. Size:4545K cn tech public
tpm2102bc3.pdf

TPM21 02B C3N-Channel Enhancement-Mode MOS FETswww.sot23.com.twFeaturesApplications V 20V DSBattery protection I 2.5A DLoad switch R ( at V =4.5V) 70 mohm DS(ON) GSPower management R ( at V =2.5V) 98 mohm DS(ON) GSDDSG GSOT323SAbsolute Maximum Ratings (TA=25C unless otherwise specified) Parameter Symbol Limit UnitDr

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: