TPM2101BC3 Todos los transistores

 

TPM2101BC3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TPM2101BC3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.45 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 54 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 47 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm

Encapsulados: SOT323

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TPM2101BC3 datasheet

 ..1. Size:5092K  cn tech public
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TPM2101BC3

TPM21 01 B C3 P-Channel Enhancement-Mode MOS FETs www.sot23.com.tw Features Applications V -20V DS Battery protection I -2.0A D Load switch R ( at V =-4.5V) 130 mohm DS(ON) GS Power management R ( at V =-2.5V) 170 mohm DS(ON) GS R ( at V =-1.8V) 250 mohm DS(ON) GS D S G SOT323 Absolute Maximum Ratings (TA=25 C unless otherwise

 8.1. Size:4545K  cn tech public
 tpm2102bc3.pdf pdf_icon

TPM2101BC3

TPM21 02B C3 N-Channel Enhancement-Mode MOS FETs www.sot23.com.tw Features Applications V 20V DS Battery protection I 2.5A D Load switch R ( at V =4.5V) 70 mohm DS(ON) GS Power management R ( at V =2.5V) 98 mohm DS(ON) GS D D S G G SOT323 S Absolute Maximum Ratings (TA=25 C unless otherwise specified) Parameter Symbol Limit Unit Dr

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