TPM2101BC3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TPM2101BC3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.45 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 54 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 47 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
Тип корпуса: SOT323
Аналог (замена) для TPM2101BC3
TPM2101BC3 Datasheet (PDF)
tpm2101bc3.pdf
TPM21 01 B C3P-Channel Enhancement-Mode MOS FETswww.sot23.com.twFeaturesApplications V -20V DSBattery protection I -2.0A DLoad switch R ( at V =-4.5V) 130 mohm DS(ON) GSPower management R ( at V =-2.5V) 170 mohm DS(ON) GS R ( at V =-1.8V) 250 mohm DS(ON) GSDSGSOT323Absolute Maximum Ratings (TA=25C unless otherwise
tpm2102bc3.pdf
TPM21 02B C3N-Channel Enhancement-Mode MOS FETswww.sot23.com.twFeaturesApplications V 20V DSBattery protection I 2.5A DLoad switch R ( at V =4.5V) 70 mohm DS(ON) GSPower management R ( at V =2.5V) 98 mohm DS(ON) GSDDSG GSOT323SAbsolute Maximum Ratings (TA=25C unless otherwise specified) Parameter Symbol Limit UnitDr
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918