TPM2101BC3 - описание и поиск аналогов

 

TPM2101BC3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TPM2101BC3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 54 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 47 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm

Тип корпуса: SOT323

Аналог (замена) для TPM2101BC3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPM2101BC3 даташит

 ..1. Size:5092K  cn tech public
 tpm2101bc3.pdf pdf_icon

TPM2101BC3

TPM21 01 B C3 P-Channel Enhancement-Mode MOS FETs www.sot23.com.tw Features Applications V -20V DS Battery protection I -2.0A D Load switch R ( at V =-4.5V) 130 mohm DS(ON) GS Power management R ( at V =-2.5V) 170 mohm DS(ON) GS R ( at V =-1.8V) 250 mohm DS(ON) GS D S G SOT323 Absolute Maximum Ratings (TA=25 C unless otherwise

 8.1. Size:4545K  cn tech public
 tpm2102bc3.pdf pdf_icon

TPM2101BC3

TPM21 02B C3 N-Channel Enhancement-Mode MOS FETs www.sot23.com.tw Features Applications V 20V DS Battery protection I 2.5A D Load switch R ( at V =4.5V) 70 mohm DS(ON) GS Power management R ( at V =2.5V) 98 mohm DS(ON) GS D D S G G SOT323 S Absolute Maximum Ratings (TA=25 C unless otherwise specified) Parameter Symbol Limit Unit Dr

Другие MOSFET... TPM1013ER3 , TPM2008EP3 , TPM2008EP3-A , TPM2008P3 , TPM2009EP3 , TPM2019-3 , TPM2030-3 , TPM2077 , IRFZ48N , TPM2102BC3 , TPM2601C3 , TPM3008EP3 , TPM3134NX3 , TPM3139K , TPM4105EC6 , TPM4153-3 , TPM5121NEC6 .

History: IRF7328 | AP4501AGM-HF | CS24N50ANHD | SI7129DN | AO3451 | IRLR7811WCPBF | AO3495

 

 

 

 

↑ Back to Top
.