TPM6401S3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TPM6401S3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 16 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 54 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 81 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de TPM6401S3 MOSFET
TPM6401S3 Datasheet (PDF)
tpm6401s3.pdf

TPM6 4 01 S3P-Channel Enhancement-Mode MOS FETswww.sot23.com.twFeaturesApplications VDS=-16V,ID=-3.8A Battery protection RDS(ON)
Otros transistores... TPM3008EP3 , TPM3134NX3 , TPM3139K , TPM4105EC6 , TPM4153-3 , TPM5121NEC6 , TPM603NT3 , TPM62D0LFB , HY1906P , TPM7002BKM , TPM7002DFN3 , TPM7002ER3 , TPM8205ATS6 , TPM8205TS6 , TPM9665D6 , TPNTA4151PT1G , TPNTA4153NT1G .
History: IXFP4N100P | IXFQ60N60X | IPP60R380P6 | IPP60R330P6 | SSP80R850S2 | IPD70R600CE | IPP60R280P6
History: IXFP4N100P | IXFQ60N60X | IPP60R380P6 | IPP60R330P6 | SSP80R850S2 | IPD70R600CE | IPP60R280P6



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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