TPM6401S3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TPM6401S3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 16 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 54 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 81 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de TPM6401S3 MOSFET
TPM6401S3 Datasheet (PDF)
tpm6401s3.pdf
TPM6 4 01 S3P-Channel Enhancement-Mode MOS FETswww.sot23.com.twFeaturesApplications VDS=-16V,ID=-3.8A Battery protection RDS(ON)
Otros transistores... TPM3008EP3 , TPM3134NX3 , TPM3139K , TPM4105EC6 , TPM4153-3 , TPM5121NEC6 , TPM603NT3 , TPM62D0LFB , AO4468 , TPM7002BKM , TPM7002DFN3 , TPM7002ER3 , TPM8205ATS6 , TPM8205TS6 , TPM9665D6 , TPNTA4151PT1G , TPNTA4153NT1G .
History: 8N80A | AP9467AGH | NTMFS4926NE
History: 8N80A | AP9467AGH | NTMFS4926NE
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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