TPM6401S3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TPM6401S3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 16 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 54 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 81 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de TPM6401S3 MOSFET
TPM6401S3 Datasheet (PDF)
tpm6401s3.pdf
TPM6 4 01 S3P-Channel Enhancement-Mode MOS FETswww.sot23.com.twFeaturesApplications VDS=-16V,ID=-3.8A Battery protection RDS(ON)
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Liste
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