TPM6401S3 Todos los transistores

 

TPM6401S3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TPM6401S3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 16 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 54 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 81 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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TPM6401S3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2983K  cn tech public
tpm6401s3.pdf pdf_icon

TPM6401S3

TPM6 4 01 S3P-Channel Enhancement-Mode MOS FETswww.sot23.com.twFeaturesApplications VDS=-16V,ID=-3.8A Battery protection RDS(ON)

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History: AP2N050H | BUZ356 | BL6N70A-D | 2SK1723 | IRFZ44ZPBF | LNN06R062 | 6N60KG-TA3-T

 

 
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