TPM6401S3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TPM6401S3  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 16 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 54 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 81 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для TPM6401S3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPM6401S3 даташит

 ..1. Size:2983K  cn tech public
 tpm6401s3.pdf pdf_icon

TPM6401S3

TPM6 4 01 S3 P-Channel Enhancement-Mode MOS FETs www.sot23.com.tw Features Applications VDS=-16V,ID=-3.8A Battery protection RDS(ON)

Другие IGBT... TPM3008EP3, TPM3134NX3, TPM3139K, TPM4105EC6, TPM4153-3, TPM5121NEC6, TPM603NT3, TPM62D0LFB, 75N75, TPM7002BKM, TPM7002DFN3, TPM7002ER3, TPM8205ATS6, TPM8205TS6, TPM9665D6, TPNTA4151PT1G, TPNTA4153NT1G