Справочник MOSFET. TPM6401S3

 

TPM6401S3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TPM6401S3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 16 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 54 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 81 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для TPM6401S3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPM6401S3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2983K  cn tech public
 tpm6401s3.pdf pdf_icon

TPM6401S3

TPM6 4 01 S3P-Channel Enhancement-Mode MOS FETswww.sot23.com.twFeaturesApplications VDS=-16V,ID=-3.8A Battery protection RDS(ON)

Другие MOSFET... TPM3008EP3 , TPM3134NX3 , TPM3139K , TPM4105EC6 , TPM4153-3 , TPM5121NEC6 , TPM603NT3 , TPM62D0LFB , HY1906P , TPM7002BKM , TPM7002DFN3 , TPM7002ER3 , TPM8205ATS6 , TPM8205TS6 , TPM9665D6 , TPNTA4151PT1G , TPNTA4153NT1G .

History: NCE60P25 | BSC014N04LSI | S85N042RP | SM4441 | CHM3413KGP | PDC2603Z

 

 
Back to Top

 


 
.