FDA69N25 Todos los transistores

 

FDA69N25 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDA69N25
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 480 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 69 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 77 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.041 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3PN
 

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FDA69N25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:720K  fairchild semi
 fda69n25.pdf pdf_icon

FDA69N25

May 2006 TMUniFETFDA69N25250V N-Channel MOSFETFeatures Description 69A, 250V, RDS(on) = 0.041 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect Low gate charge ( typical 77 nC) transistors are produced using Fairchilds proprietary, planarstripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 84pF)This advanced technology has been especially tailored to

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