FDA69N25 Todos los transistores

 

FDA69N25 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDA69N25

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 480 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 69 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.041 Ohm

Encapsulados: TO3PN

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FDA69N25 datasheet

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FDA69N25

May 2006 TM UniFET FDA69N25 250V N-Channel MOSFET Features Description 69A, 250V, RDS(on) = 0.041 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect Low gate charge ( typical 77 nC) transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 84pF) This advanced technology has been especially tailored to

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