Справочник MOSFET. FDA69N25

 

FDA69N25 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDA69N25
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 480 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 69 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 77 nC
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm
   Тип корпуса: TO3PN
 

 Аналог (замена) для FDA69N25

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDA69N25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:720K  fairchild semi
 fda69n25.pdf pdf_icon

FDA69N25

May 2006 TMUniFETFDA69N25250V N-Channel MOSFETFeatures Description 69A, 250V, RDS(on) = 0.041 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect Low gate charge ( typical 77 nC) transistors are produced using Fairchilds proprietary, planarstripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 84pF)This advanced technology has been especially tailored to

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: 2N6763 | ZVN2110ASTZ

 

 
Back to Top

 


 
.