FDA69N25 - описание и поиск аналогов

 

FDA69N25. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDA69N25

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 480 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 69 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm

Тип корпуса: TO3PN

Аналог (замена) для FDA69N25

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDA69N25 даташит

 ..1. Size:720K  fairchild semi
 fda69n25.pdf pdf_icon

FDA69N25

May 2006 TM UniFET FDA69N25 250V N-Channel MOSFET Features Description 69A, 250V, RDS(on) = 0.041 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect Low gate charge ( typical 77 nC) transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 84pF) This advanced technology has been especially tailored to

Другие MOSFET... FDA24N50F , FDA28N50 , FDA28N50F , FDA33N25 , FDA38N30 , FDA50N50 , FDA59N25 , FDA59N30 , IRFZ44N , FDA70N20 , STU404D , FDA8440 , FDB016N04AL7 , FDB024N04AL7 , FDB024N06 , FDB029N06 , FDB031N08 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.