TPNTA4151PT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TPNTA4151PT1G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.28 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.55 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6(max) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.59 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT523
     - Selección de transistores por parámetros