TPNTA4151PT1G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: TPNTA4151PT1G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.55 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 6(max) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.59 Ohm
   Тип корпуса: SOT523
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам