TPNTA4151PT1G - описание и поиск аналогов

TPNTA4151PT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TPNTA4151PT1G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.28 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 6 max pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.59 Ohm

Тип корпуса: SOT523

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам