TPNTS4101PT1G Todos los transistores

 

TPNTS4101PT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TPNTS4101PT1G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.29 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT323
 

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TPNTS4101PT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2471K  cn tech public
 tpnts4101pt1g.pdf pdf_icon

TPNTS4101PT1G

TPNTS4 1 01 PT1 GP-Channel Enhancement-Mode MOS FETswww.sot23.com.twFeaturesApplications (typ) @VGS =4.5V. -20V, -2.3A, RDS(ON) =100m Battery protection RDS(ON) = 125m (typ) @VGS = 2.5V. Load switch Power management SOT-323 package. Ordering InformationPart Number Qty per Reel Reel SizeTPNTS4101PT1G 3000 7DSGSOT-323Absolute Maximum Ratings (TA=

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History: IPD031N03L | 2SK1642

 

 
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