TPNTS4101PT1G Todos los transistores

 

TPNTS4101PT1G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TPNTS4101PT1G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.29 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: SOT323

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TPNTS4101PT1G datasheet

 ..1. Size:2471K  cn tech public
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TPNTS4101PT1G

TPNTS4 1 01 PT1 G P-Channel Enhancement-Mode MOS FETs www.sot23.com.tw Features Applications (typ) @VGS =4.5V. -20V, -2.3A, RDS(ON) =100m Battery protection RDS(ON) = 125m (typ) @VGS = 2.5V. Load switch Power management SOT-323 package. Ordering Information Part Number Qty per Reel Reel Size TPNTS4101PT1G 3000 7 D S G SOT-323 Absolute Maximum Ratings (TA=

Otros transistores... TPM8205ATS6 , TPM8205TS6 , TPM9665D6 , TPNTA4151PT1G , TPNTA4153NT1G , TPNTJD4105CT1G , TPNTK3134NT1G , TPNTK3139PT1G , IRF540 , UT8205AG-AG6 , ZXMN6A11ZTA-P , CS10N70FA9R , ME2310 , ME9926 , J330 , K3150 , K4018 .

History: TMP7N65AZ

 

 

 

 

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