TPNTS4101PT1G Todos los transistores

TPNTS4101PT1G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TPNTS4101PT1G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.29 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: SOT323

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros