Справочник MOSFET. TPNTS4101PT1G

 

TPNTS4101PT1G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TPNTS4101PT1G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.29 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SOT323
 

 Аналог (замена) для TPNTS4101PT1G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPNTS4101PT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2471K  cn tech public
 tpnts4101pt1g.pdf pdf_icon

TPNTS4101PT1G

TPNTS4 1 01 PT1 GP-Channel Enhancement-Mode MOS FETswww.sot23.com.twFeaturesApplications (typ) @VGS =4.5V. -20V, -2.3A, RDS(ON) =100m Battery protection RDS(ON) = 125m (typ) @VGS = 2.5V. Load switch Power management SOT-323 package. Ordering InformationPart Number Qty per Reel Reel SizeTPNTS4101PT1G 3000 7DSGSOT-323Absolute Maximum Ratings (TA=

Другие MOSFET... TPM8205ATS6 , TPM8205TS6 , TPM9665D6 , TPNTA4151PT1G , TPNTA4153NT1G , TPNTJD4105CT1G , TPNTK3134NT1G , TPNTK3139PT1G , IRF540N , UT8205AG-AG6 , ZXMN6A11ZTA-P , CS10N70FA9R , ME2310 , ME9926 , J330 , K3150 , K4018 .

History: IPA093N06N3G | PK608DY | IXTM10N60A | SUM60N02-3M9P | QM2403K | IRF243 | STW30N20

 

 
Back to Top

 


 
.