TPNTS4101PT1G - описание и поиск аналогов

 

TPNTS4101PT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TPNTS4101PT1G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.29 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: SOT323

Аналог (замена) для TPNTS4101PT1G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPNTS4101PT1G даташит

 ..1. Size:2471K  cn tech public
 tpnts4101pt1g.pdf pdf_icon

TPNTS4101PT1G

TPNTS4 1 01 PT1 G P-Channel Enhancement-Mode MOS FETs www.sot23.com.tw Features Applications (typ) @VGS =4.5V. -20V, -2.3A, RDS(ON) =100m Battery protection RDS(ON) = 125m (typ) @VGS = 2.5V. Load switch Power management SOT-323 package. Ordering Information Part Number Qty per Reel Reel Size TPNTS4101PT1G 3000 7 D S G SOT-323 Absolute Maximum Ratings (TA=

Другие MOSFET... TPM8205ATS6 , TPM8205TS6 , TPM9665D6 , TPNTA4151PT1G , TPNTA4153NT1G , TPNTJD4105CT1G , TPNTK3134NT1G , TPNTK3139PT1G , IRF540 , UT8205AG-AG6 , ZXMN6A11ZTA-P , CS10N70FA9R , ME2310 , ME9926 , J330 , K3150 , K4018 .

History: SIS322DNT

 

 

 

 

↑ Back to Top
.