Справочник MOSFET. TPNTS4101PT1G

 

TPNTS4101PT1G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TPNTS4101PT1G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.29 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SOT323
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TPNTS4101PT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2471K  cn tech public
 tpnts4101pt1g.pdf pdf_icon

TPNTS4101PT1G

TPNTS4 1 01 PT1 GP-Channel Enhancement-Mode MOS FETswww.sot23.com.twFeaturesApplications (typ) @VGS =4.5V. -20V, -2.3A, RDS(ON) =100m Battery protection RDS(ON) = 125m (typ) @VGS = 2.5V. Load switch Power management SOT-323 package. Ordering InformationPart Number Qty per Reel Reel SizeTPNTS4101PT1G 3000 7DSGSOT-323Absolute Maximum Ratings (TA=

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SM6033NAF | AUIRFZ34N | IRLML9301TRPBF | RU7550S | IRFY9240C | STP20NM60FP | 2N6760JANTXV

 

 
Back to Top

 


 
.