FDA70N20 Todos los transistores

 

FDA70N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDA70N20

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 417 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 70 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 5 V

Carga de compuerta (Qg): 66 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.035 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3PN

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDA70N20

 

FDA70N20 Datasheet (PDF)

1.1. fda70n20.pdf Size:592K _fairchild_semi

FDA70N20
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TM UniFET FDA70N20 200V N-Channel MOSFET Features Description 70A, 200V, RDS(on) = 0.035? @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transis- tors are produced using Fairchilds proprietary, planar stripe, Low gate charge ( typical 66 nC) DMOS technology. Low Crss ( typical 89 pF) This advanced technology has been especially tailored to mini- Fast switching

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