FDA70N20 Todos los transistores

 

FDA70N20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDA70N20

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 417 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm

Encapsulados: TO3PN

 Búsqueda de reemplazo de FDA70N20 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

FDA70N20 datasheet

 ..1. Size:592K  fairchild semi
 fda70n20.pdf pdf_icon

FDA70N20

TM UniFET FDA70N20 200V N-Channel MOSFET Features Description 70A, 200V, RDS(on) = 0.035 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transis- tors are produced using Fairchild s proprietary, planar stripe, Low gate charge ( typical 66 nC) DMOS technology. Low Crss ( typical 89 pF) This advanced technology has been especially tailored to mini-

Otros transistores... FDA28N50 , FDA28N50F , FDA33N25 , FDA38N30 , FDA50N50 , FDA59N25 , FDA59N30 , FDA69N25 , IRF3205 , STU404D , FDA8440 , FDB016N04AL7 , FDB024N04AL7 , FDB024N06 , FDB029N06 , FDB031N08 , FDB035AN06A0 .

History: FDB20N50F

 

 

 


 
↑ Back to Top
.