FDA70N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDA70N20
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 417 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 70 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 66 nC
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.035 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3PN
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FDA70N20 Datasheet (PDF)
..1. Size:592K fairchild semi
fda70n20.pdf
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TMUniFETFDA70N20200V N-Channel MOSFETFeatures Description 70A, 200V, RDS(on) = 0.035 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transis-tors are produced using Fairchilds proprietary, planar stripe, Low gate charge ( typical 66 nC)DMOS technology. Low Crss ( typical 89 pF)This advanced technology has been especially tailored to mini-
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