FDA70N20 - описание и поиск аналогов

 

FDA70N20. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDA70N20

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 417 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: TO3PN

Аналог (замена) для FDA70N20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDA70N20 даташит

 ..1. Size:592K  fairchild semi
 fda70n20.pdf pdf_icon

FDA70N20

TM UniFET FDA70N20 200V N-Channel MOSFET Features Description 70A, 200V, RDS(on) = 0.035 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transis- tors are produced using Fairchild s proprietary, planar stripe, Low gate charge ( typical 66 nC) DMOS technology. Low Crss ( typical 89 pF) This advanced technology has been especially tailored to mini-

Другие MOSFET... FDA28N50 , FDA28N50F , FDA33N25 , FDA38N30 , FDA50N50 , FDA59N25 , FDA59N30 , FDA69N25 , IRF3205 , STU404D , FDA8440 , FDB016N04AL7 , FDB024N04AL7 , FDB024N06 , FDB029N06 , FDB031N08 , FDB035AN06A0 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.