Справочник MOSFET. FDA70N20

 

FDA70N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDA70N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 417 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 66 nC
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: TO3PN
 

 Аналог (замена) для FDA70N20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDA70N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:592K  fairchild semi
 fda70n20.pdf pdf_icon

FDA70N20

TMUniFETFDA70N20200V N-Channel MOSFETFeatures Description 70A, 200V, RDS(on) = 0.035 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transis-tors are produced using Fairchilds proprietary, planar stripe, Low gate charge ( typical 66 nC)DMOS technology. Low Crss ( typical 89 pF)This advanced technology has been especially tailored to mini-

Другие MOSFET... FDA28N50 , FDA28N50F , FDA33N25 , FDA38N30 , FDA50N50 , FDA59N25 , FDA59N30 , FDA69N25 , IRF3205 , STU404D , FDA8440 , FDB016N04AL7 , FDB024N04AL7 , FDB024N06 , FDB029N06 , FDB031N08 , FDB035AN06A0 .

History: 2SJ326 | FDMC86102LZ

 

 
Back to Top

 


 
.