ME9926 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ME9926
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
Encapsulados: SO8
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ME9926 datasheet
me9926.pdf
ME9926 www.VBsemi.tw Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.025 at VGS = 4.5 V 7.1 TrenchFET Power MOSFET 20 0.035 at VGS = 2.5 V 6.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC SO-8 D1 D2 S1 1 D1 8 G1 2 D1 7 S2 3 D2 6 G1 G2 G2 4 D2
Otros transistores... TPNTJD4105CT1G , TPNTK3134NT1G , TPNTK3139PT1G , TPNTS4101PT1G , UT8205AG-AG6 , ZXMN6A11ZTA-P , CS10N70FA9R , ME2310 , IRF1404 , J330 , K3150 , K4018 , MMBF170LT1G , MMDF3N04HD , MCH3409-TL , KD2306A , KD2310 .
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
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