ME9926 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ME9926
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
Paquete / Cubierta: SO8
Búsqueda de reemplazo de ME9926 MOSFET
ME9926 Datasheet (PDF)
me9926.pdf

ME9926www.VBsemi.twDual N-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.025 at VGS = 4.5 V 7.1 TrenchFET Power MOSFET200.035 at VGS = 2.5 V 6.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSO-8 D1 D2S1 1 D18G1 2 D17S2 3 D26G1 G2G2 4 D2
Otros transistores... TPNTJD4105CT1G , TPNTK3134NT1G , TPNTK3139PT1G , TPNTS4101PT1G , UT8205AG-AG6 , ZXMN6A11ZTA-P , CS10N70FA9R , ME2310 , IRF1404 , J330 , K3150 , K4018 , MMBF170LT1G , MMDF3N04HD , MCH3409-TL , KD2306A , KD2310 .
History: HUF76645P3 | IRFP4768PBF
History: HUF76645P3 | IRFP4768PBF



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0604AGQ | JMSL0604AG | JMSL0603PG | JMSL0603BGQ | JMSL0603BG | JMSL0603AK | JMSL0602PG | JMSL0602MG | JMSL0602AGQ | JMSL0602AG | JMSL0601TG | JMSL0601BGQ | JMSL0601BG | JMSL0601AGQ | JMSL0601AG | JMTP330N06D
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