Справочник MOSFET. ME9926

 

ME9926 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME9926
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для ME9926

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME9926 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:841K  cn vbsemi
 me9926.pdf pdf_icon

ME9926

ME9926www.VBsemi.twDual N-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.025 at VGS = 4.5 V 7.1 TrenchFET Power MOSFET200.035 at VGS = 2.5 V 6.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSO-8 D1 D2S1 1 D18G1 2 D17S2 3 D26G1 G2G2 4 D2

Другие MOSFET... TPNTJD4105CT1G , TPNTK3134NT1G , TPNTK3139PT1G , TPNTS4101PT1G , UT8205AG-AG6 , ZXMN6A11ZTA-P , CS10N70FA9R , ME2310 , IRF1404 , J330 , K3150 , K4018 , MMBF170LT1G , MMDF3N04HD , MCH3409-TL , KD2306A , KD2310 .

 

 
Back to Top

 


 
.