MMBF170LT1G Todos los transistores

 

MMBF170LT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MMBF170LT1G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 0.4 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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MMBF170LT1G Datasheet (PDF)

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MMBF170LT1G

MMBF170LT1Gwww.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (mA)Definition2.8 at VGS = 10 V60 250 Low Threshold: 2 V (typ.) Low Input Capacitance: 25 pF Fast Switching Speed: 25 ns Low Input and Output LeakageSOT-23 TrenchFET Power MOSFET 1200V ESD ProtectionG

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MMBF170LT1G

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBF170LT1/DTMOS FET TransistorDRAIN3MMBF170LT1NChannel1GATE32SOURCE1MAXIMUM RATINGS2Rating Symbol Value UnitDrainSource Voltage VDSS 60 VdcCASE 31808, STYLE 21SOT23 (TO236AB)DrainGate Voltage VDGS 60 VdcGateSource Voltage Continuous VGS 20 Vdc Nonrepeti

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MMBF170LT1G

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBF170LT1/DTMOS FET TransistorDRAIN3MMBF170LT1NChannel1GATE32SOURCE1MAXIMUM RATINGS2Rating Symbol Value UnitDrainSource Voltage VDSS 60 VdcCASE 31808, STYLE 21SOT23 (TO236AB)DrainGate Voltage VDGS 60 VdcGateSource Voltage Continuous VGS 20 Vdc Nonrepeti

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MMBF170LT1G

MMBF170LT1Power MOSFET500 mA, 60 VN-Channel SOT-23Featureshttp://onsemi.com Pb-Free Packages are Available500 mA, 60 VMAXIMUM RATINGSRDS(on) = 5 WRating Symbol Value UnitDrain-Source Voltage VDSS 60 VdcDrain-Gate Voltage VDGS 60 VdcSOT-23CASE 318Gate-Source VoltageSTYLE 21- Continuous VGS 20 Vdc- Non-repetitive (tp 50 ms) VGSM 40 VpkDrain Curre

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History: APQ04SN60CE | APQ03SN80CB

 

 
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