MDD1653RH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MDD1653RH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 205 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 61 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 525 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MDD1653RH

MDD1653RH Datasheet (PDF)

..1. Size:845K cn vbsemi
mdd1653rh.pdf

MDD1653RHwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.005 at VGS = 10 V 8030 31 nC0.006 at VGS = 4.5 V 68APPLICATIONSD OR-ingTO-252 Server DC/DCGG D STop ViewSN-Channel MOSFETABSOL

8.1. Size:1121K magnachip
mdd1654.pdf

MDD1654 30V N-channel Trench MOSFET : 30V, 55A, 6.0m General Description Features The MDD1654 uses advanced Magnachips VDS = 30V ID = 55A @VGS = 10V MOSFET Technology, which provides high performance in on-state resistance, fast switching RDS(ON) performance and excellent quality. MDD1654 is

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: