MDD1653RH datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: MDD1653RH 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 205 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 525 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 typ Ohm
Тип корпуса: TO252
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для MDD1653RH
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
MDD1653RH даташит
mdd1653rh.pdf
MDD1653RH www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.005 at VGS = 10 V 80 30 31 nC 0.006 at VGS = 4.5 V 68 APPLICATIONS D OR-ing TO-252 Server DC/DC G G D S Top View S N-Channel MOSFET ABSOL
mdd1654.pdf
MDD1654 30V N-channel Trench MOSFET 30V, 55A, 6.0m General Description Features The MDD1654 uses advanced Magnachip s VDS = 30V ID = 55A @VGS = 10V MOSFET Technology, which provides high performance in on-state resistance, fast switching RDS(ON) performance and excellent quality. MDD1654 is
Другие IGBT... K3569-FP, K4145, KD2301, KD3422A, KD4953, LR024N, LR8103V, LU120N, AO3401, MDU2657RH, MDV1595SU, ME20N10, ME4410, MEM2301, MEM2302, MI4800, MMBF0201NLT1G
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: MCP87022 | IRLI3705NPBF | RRS110N03TB1 | FDD044AN03L | 2N5114UBE3
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
irf3205 datasheet | oc71 | njw0302g | 2n3904 transistor equivalent | 2sc2312 | bu406 datasheet | irfb7437 | tip32a


