MDU2657RH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MDU2657RH
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 425 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0071(typ) Ohm
Paquete / Cubierta: DFN5X6
Búsqueda de reemplazo de MDU2657RH MOSFET
MDU2657RH Datasheet (PDF)
mdu2657rh.pdf
MDU2657RHwww.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.007 at VGS = 10 V 6030 31 nC0.009 at VGS = 4.5 V 48APPLICATIONS OR-ingDFN5X6 Single DD ServerD 8 DC/DCD 7D 65G12 SS3 S
Otros transistores... K4145 , KD2301 , KD3422A , KD4953 , LR024N , LR8103V , LU120N , MDD1653RH , IRF9540N , MDV1595SU , ME20N10 , ME4410 , MEM2301 , MEM2302 , MI4800 , MMBF0201NLT1G , MMDF3P03HDR .
History: FDB9509L-F085 | AOD4N60 | ZXMD63N02X
History: FDB9509L-F085 | AOD4N60 | ZXMD63N02X
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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