MDU2657RH - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MDU2657RH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 425 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0071(typ) Ohm
Тип корпуса: DFN5X6
Аналог (замена) для MDU2657RH
MDU2657RH Datasheet (PDF)
mdu2657rh.pdf
MDU2657RHwww.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.007 at VGS = 10 V 6030 31 nC0.009 at VGS = 4.5 V 48APPLICATIONS OR-ingDFN5X6 Single DD ServerD 8 DC/DCD 7D 65G12 SS3 S
Другие MOSFET... K4145 , KD2301 , KD3422A , KD4953 , LR024N , LR8103V , LU120N , MDD1653RH , IRF9540N , MDV1595SU , ME20N10 , ME4410 , MEM2301 , MEM2302 , MI4800 , MMBF0201NLT1G , MMDF3P03HDR .
History: PSMN1R0-30YLD | DMP6350S | IXZR08N120B
History: PSMN1R0-30YLD | DMP6350S | IXZR08N120B
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
oc71 | njw0302g | 2n3904 transistor equivalent | 2sc2312 | bu406 datasheet | irfb7437 | tip32a | p75nf75 mosfet equivalent