MDU2657RH - описание и поиск аналогов

 

MDU2657RH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MDU2657RH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 425 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0071 typ Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для MDU2657RH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDU2657RH даташит

 ..1. Size:598K  cn vbsemi
mdu2657rh.pdfpdf_icon

MDU2657RH

MDU2657RH www.VBsemi.com N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.007 at VGS = 10 V 60 30 31 nC 0.009 at VGS = 4.5 V 48 APPLICATIONS OR-ing DFN5X6 Single D D Server D 8 DC/DC D 7 D 6 5 G 1 2 S S 3 S

 7.1. Size:1639K  magnachip
mdu2657.pdfpdf_icon

MDU2657RH

 8.1. Size:137K  1
mdu2653.pdfpdf_icon

MDU2657RH

Другие MOSFET... K4145 , KD2301 , KD3422A , KD4953 , LR024N , LR8103V , LU120N , MDD1653RH , SPP20N60C3 , MDV1595SU , ME20N10 , ME4410 , MEM2301 , MEM2302 , MI4800 , MMBF0201NLT1G , MMDF3P03HDR .

History: 2SK1310 | IPAN60R650CE

 

 

 

 

↑ Back to Top
.