MDU2657RH - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MDU2657RH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 425 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0071(typ) Ohm
Тип корпуса: DFN5X6
Аналог (замена) для MDU2657RH
MDU2657RH Datasheet (PDF)
mdu2657rh.pdf
MDU2657RHwww.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.007 at VGS = 10 V 6030 31 nC0.009 at VGS = 4.5 V 48APPLICATIONS OR-ingDFN5X6 Single DD ServerD 8 DC/DCD 7D 65G12 SS3 S
Другие MOSFET... K4145 , KD2301 , KD3422A , KD4953 , LR024N , LR8103V , LU120N , MDD1653RH , SPP20N60C3 , MDV1595SU , ME20N10 , ME4410 , MEM2301 , MEM2302 , MI4800 , MMBF0201NLT1G , MMDF3P03HDR .
History: PE610SA | CS10N60A8R | CS7N65FA9D | CS10N80AND
History: PE610SA | CS10N60A8R | CS7N65FA9D | CS10N80AND
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
oc71 | njw0302g | 2n3904 transistor equivalent | 2sc2312 | bu406 datasheet | irfb7437 | tip32a | p75nf75 mosfet equivalent