MI4800 Todos los transistores

 

MI4800 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MI4800

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.78 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 117 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0224 typ Ohm

Encapsulados: SO8

 Búsqueda de reemplazo de MI4800 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

MI4800 datasheet

 ..1. Size:303K  cn vbsemi
 mi4800.pdf pdf_icon

MI4800

MI4800 www.VBsemi.com Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.022 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET 6.8 30 15 nC 100 % UIS Tested 0.026 at VGS = 4.5 V 6.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Set Top Box

Otros transistores... LU120N , MDD1653RH , MDU2657RH , MDV1595SU , ME20N10 , ME4410 , MEM2301 , MEM2302 , 5N65 , MMBF0201NLT1G , MMDF3P03HDR , MT2300ACTR , MT4435ACTR , MT4606 , MT6680 , MTD20N03HDLT4G , MTD20N06HDLT4G .

History: BRD840 | CM10N60AFZ | SGSP311 | BRD70N08

 

 

 

 

↑ Back to Top
.