Справочник MOSFET. MI4800

 

MI4800 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MI4800
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 117 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0224(typ) Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для MI4800

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MI4800 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:303K  cn vbsemi
 mi4800.pdf pdf_icon

MI4800

MI4800www.VBsemi.comDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.022 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.830 15 nC 100 % UIS Tested0.026 at VGS = 4.5 V 6.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Set Top Box

Другие MOSFET... LU120N , MDD1653RH , MDU2657RH , MDV1595SU , ME20N10 , ME4410 , MEM2301 , MEM2302 , 4435 , MMBF0201NLT1G , MMDF3P03HDR , MT2300ACTR , MT4435ACTR , MT4606 , MT6680 , MTD20N03HDLT4G , MTD20N06HDLT4G .

 

 
Back to Top

 


 
.