MI4800 - описание и поиск аналогов

 

MI4800. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MI4800

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.78 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 117 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0224 typ Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для MI4800

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MI4800 даташит

 ..1. Size:303K  cn vbsemi
 mi4800.pdf pdf_icon

MI4800

MI4800 www.VBsemi.com Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.022 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET 6.8 30 15 nC 100 % UIS Tested 0.026 at VGS = 4.5 V 6.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Set Top Box

Другие MOSFET... LU120N , MDD1653RH , MDU2657RH , MDV1595SU , ME20N10 , ME4410 , MEM2301 , MEM2302 , 5N65 , MMBF0201NLT1G , MMDF3P03HDR , MT2300ACTR , MT4435ACTR , MT4606 , MT6680 , MTD20N03HDLT4G , MTD20N06HDLT4G .

History: BRD840 | SMK1430F | APT60N60BCS | S15H11RN | BRD70N08 | SMK1350F | AGM612MBP

 

 

 

 

↑ Back to Top
.