MT6680 Todos los transistores

 

MT6680 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MT6680

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 typ Ohm

Encapsulados: SO8

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MT6680 datasheet

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MT6680

MT6680 www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.008 at VGS = 10 V 13 30 6.1 nC Optimized for High-Side Synchronous 0.011 at VGS = 4.5 V 11 Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested APPLICATIONS Notebook CPU Core - High-Side Switch SO

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History: SSM70T03J | IRLML6401TRPBF | FDMS3602S | IRLML2246TRPBF | IRLR120PBF | AOD2544 | BUZ11S2FI

 

 

 

 

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