MT6680 - описание и поиск аналогов

 

MT6680. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MT6680

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 typ Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для MT6680

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MT6680 даташит

 ..1. Size:834K  cn vbsemi
 mt6680.pdf pdf_icon

MT6680

MT6680 www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.008 at VGS = 10 V 13 30 6.1 nC Optimized for High-Side Synchronous 0.011 at VGS = 4.5 V 11 Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested APPLICATIONS Notebook CPU Core - High-Side Switch SO

Другие MOSFET... MEM2301 , MEM2302 , MI4800 , MMBF0201NLT1G , MMDF3P03HDR , MT2300ACTR , MT4435ACTR , MT4606 , NCEP15T14 , MTD20N03HDLT4G , MTD20N06HDLT4G , MTD3055EL , MTP60N06HD , MTP8N06 , N3PF06 , NCE0117 , NCE3010S .

History: IRLU3110ZPBF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.