MT6680 - аналоги и даташиты транзистора

 

MT6680 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MT6680
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008(typ) Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для MT6680

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MT6680 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:834K  cn vbsemi
 mt6680.pdf pdf_icon

MT6680

MT6680www.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.008 at VGS = 10 V 1330 6.1 nC Optimized for High-Side Synchronous0.011 at VGS = 4.5 V 11Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Notebook CPU Core- High-Side SwitchSO

Другие MOSFET... MEM2301 , MEM2302 , MI4800 , MMBF0201NLT1G , MMDF3P03HDR , MT2300ACTR , MT4435ACTR , MT4606 , IRFP450 , MTD20N03HDLT4G , MTD20N06HDLT4G , MTD3055EL , MTP60N06HD , MTP8N06 , N3PF06 , NCE0117 , NCE3010S .

History: UTM4052G-TN4-T | NCE20PD05 | BUK9E3R2-40E

 

 
Back to Top

 


 
.