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MTD20N06HDLT4G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTD20N06HDLT4G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 11 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.031(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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MTD20N06HDLT4G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:771K  cn vbsemi
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MTD20N06HDLT4G

MTD20N06HDLT4Gwww.VBsemi.twN-Channel 6 0-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A)aAvailable 175 C Junction Temperature0.025 at VGS = 10 V 35RoHS*600.030 at VGS = 4.5 V 30 COMPLIANTTO-252 DGDrain Connected to TabG D SSTop ViewN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwis

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MTD20N06HDLT4G

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MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAbt MTD20N06HDL/DAdvance InformationMTD20N06HDLHDTMOS E-FET Motorola Preferred DeviceHigh Density Power FETTMOS POWER FETDPAK for Surface Mount orLOGIC LEVELInsertion Mount20 AMPERES60 VOLTSNChannel EnhancementMode Silicon GateRDS(on) = 0.045 OHMThis advanced highcell density HDTMOS EFET is de

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History: SSP7464N | IRFAC32

 

 
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