Справочник MOSFET. MTD20N06HDLT4G

 

MTD20N06HDLT4G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTD20N06HDLT4G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 11 nC
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.031(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для MTD20N06HDLT4G

 

 

MTD20N06HDLT4G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:771K  cn vbsemi
 mtd20n06hdlt4g.pdf

MTD20N06HDLT4G MTD20N06HDLT4G

MTD20N06HDLT4Gwww.VBsemi.twN-Channel 6 0-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A)aAvailable 175 C Junction Temperature0.025 at VGS = 10 V 35RoHS*600.030 at VGS = 4.5 V 30 COMPLIANTTO-252 DGDrain Connected to TabG D SSTop ViewN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwis

 3.1. Size:253K  motorola
 mtd20n06hdl.pdf

MTD20N06HDLT4G MTD20N06HDLT4G

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAbt MTD20N06HDL/DAdvance InformationMTD20N06HDLHDTMOS E-FET Motorola Preferred DeviceHigh Density Power FETTMOS POWER FETDPAK for Surface Mount orLOGIC LEVELInsertion Mount20 AMPERES60 VOLTSNChannel EnhancementMode Silicon GateRDS(on) = 0.045 OHMThis advanced highcell density HDTMOS EFET is de

 4.1. Size:293K  motorola
 mtd20n06hd.pdf

MTD20N06HDLT4G MTD20N06HDLT4G

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAbt MTD20N06HDL/DAdvance InformationMTD20N06HDLHDTMOS E-FET Motorola Preferred DeviceHigh Density Power FETTMOS POWER FETDPAK for Surface Mount orLOGIC LEVELInsertion Mount20 AMPERES60 VOLTSNChannel EnhancementMode Silicon GateRDS(on) = 0.045 OHMThis advanced highcell density HDTMOS EFET is de

 5.1. Size:274K  motorola
 mtd20n06h.pdf

MTD20N06HDLT4G MTD20N06HDLT4G

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTD20N06HD/DDesigner's Data SheetMTD20N06HDHDTMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorDPAK for Surface MountTMOS POWER FET20 AMPERESNChannel EnhancementMode Silicon Gate60 VOLTS This advanced HDTMOS power FET is designed to withstandRDS(on) = 0.045 OHMhigh energy in the

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top