NIF5002NT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NIF5002NT1G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.076(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NIF5002NT1G

NIF5002NT1G Datasheet (PDF)

..1. Size:896K cn vbsemi
nif5002nt1g.pdf

NIF5002NT1Gwww.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.076 at VGS = 10 V 4.5RoHS10 nC COMPLIANT60APPLICATIONS0.085 at VGS = 4.5 V 3.5 Load Switches for Portable DevicesDSOT-223-3D GSDGSN-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unl

5.1. Size:847K cn vbsemi
nif5002nt3g.pdf

NIF5002NT3Gwww.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.076 at VGS = 10 V 4.5RoHS10 nC COMPLIANT60APPLICATIONS0.085 at VGS = 4.5 V 3.5 Load Switches for Portable DevicesDSOT-223-3D GSDGSN-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unl

6.1. Size:74K onsemi
nif5002n-d.pdf

NIF5002NPreferred DeviceSelf-Protected FETwith Temperature and Current Limit42 V, 2.0 A, Single N-Channel, SOT-223http://onsemi.comHDPlust devices are an advanced series of power MOSFETsV(BR)DSSwhich utilize ON Semiconductors latest MOSFET technology processRDS(ON) TYPID MAX(Clamped)to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area while42 V165 mW @ 10

8.1. Size:105K onsemi
nif5003n.pdf

NIF5003NPreferred DeviceSelf-Protected FETwith Temperature and Current Limit42 V, 14 A, Single N-Channel, SOT-223http://onsemi.comhttp://onsemi.comHDPlus devices are an advanced series of power MOSFETs whichutilize ON Semiconductors latest MOSFET technology process toVDSS ID MAXachieve the lowest possible on-resistance per silicon area whileRDS(on) TYP(Clamped) (Lim

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Liste

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