NIF5002NT1G - описание и поиск аналогов

 

NIF5002NT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NIF5002NT1G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.076 typ Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для NIF5002NT1G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NIF5002NT1G даташит

 ..1. Size:896K  cn vbsemi
nif5002nt1g.pdfpdf_icon

NIF5002NT1G

NIF5002NT1G www.VBsemi.tw N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.076 at VGS = 10 V 4.5 RoHS 10 nC COMPLIANT 60 APPLICATIONS 0.085 at VGS = 4.5 V 3.5 Load Switches for Portable Devices D SOT-223-3 D G S D G S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unl

 5.1. Size:847K  cn vbsemi
nif5002nt3g.pdfpdf_icon

NIF5002NT1G

NIF5002NT3G www.VBsemi.tw N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.076 at VGS = 10 V 4.5 RoHS 10 nC COMPLIANT 60 APPLICATIONS 0.085 at VGS = 4.5 V 3.5 Load Switches for Portable Devices D SOT-223-3 D G S D G S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unl

 6.1. Size:74K  onsemi
nif5002n-d.pdfpdf_icon

NIF5002NT1G

NIF5002N Preferred Device Self-Protected FET with Temperature and Current Limit 42 V, 2.0 A, Single N-Channel, SOT-223 http //onsemi.com HDPlust devices are an advanced series of power MOSFETs V(BR)DSS which utilize ON Semiconductors latest MOSFET technology process RDS(ON) TYP ID MAX (Clamped) to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area while 42 V 165 mW @ 10

 8.1. Size:105K  onsemi
nif5003n.pdfpdf_icon

NIF5002NT1G

NIF5003N Preferred Device Self-Protected FET with Temperature and Current Limit 42 V, 14 A, Single N-Channel, SOT-223 http //onsemi.com http //onsemi.com HDPlus devices are an advanced series of power MOSFETs which utilize ON Semiconductors latest MOSFET technology process to VDSS ID MAX achieve the lowest possible on-resistance per silicon area while RDS(on) TYP (Clamped) (Lim

Другие MOSFET... NCE4606 , NCE4953 , NCE55P04S , NCE55P05S , NCE60P25K , NDS331N-NL , NDS332P-NL , NDS9948-NL , 2N60 , NIF5002NT3G , NT2955G , NTB25P06T4G , NTD12N10-1G , NTD20N06LT4G , NTD2955T4G , NTD2955VT4G , NTD4860NT4G .

History: 2SK3778-01 | SM4023NSU | SUP45N05-20L | 2SK2552 | MMF60R280QTH | IRF7904 | NTJD5121NT1G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.