NIF5002NT1G. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: NIF5002NT1G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.076 typ Ohm
Тип корпуса: SOT223
Аналог (замена) для NIF5002NT1G
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
NIF5002NT1G даташит
nif5002nt1g.pdf
NIF5002NT1G www.VBsemi.tw N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.076 at VGS = 10 V 4.5 RoHS 10 nC COMPLIANT 60 APPLICATIONS 0.085 at VGS = 4.5 V 3.5 Load Switches for Portable Devices D SOT-223-3 D G S D G S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unl
nif5002nt3g.pdf
NIF5002NT3G www.VBsemi.tw N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.076 at VGS = 10 V 4.5 RoHS 10 nC COMPLIANT 60 APPLICATIONS 0.085 at VGS = 4.5 V 3.5 Load Switches for Portable Devices D SOT-223-3 D G S D G S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unl
nif5002n-d.pdf
NIF5002N Preferred Device Self-Protected FET with Temperature and Current Limit 42 V, 2.0 A, Single N-Channel, SOT-223 http //onsemi.com HDPlust devices are an advanced series of power MOSFETs V(BR)DSS which utilize ON Semiconductors latest MOSFET technology process RDS(ON) TYP ID MAX (Clamped) to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area while 42 V 165 mW @ 10
nif5003n.pdf
NIF5003N Preferred Device Self-Protected FET with Temperature and Current Limit 42 V, 14 A, Single N-Channel, SOT-223 http //onsemi.com http //onsemi.com HDPlus devices are an advanced series of power MOSFETs which utilize ON Semiconductors latest MOSFET technology process to VDSS ID MAX achieve the lowest possible on-resistance per silicon area while RDS(on) TYP (Clamped) (Lim
Другие MOSFET... NCE4606 , NCE4953 , NCE55P04S , NCE55P05S , NCE60P25K , NDS331N-NL , NDS332P-NL , NDS9948-NL , 2N60 , NIF5002NT3G , NT2955G , NTB25P06T4G , NTD12N10-1G , NTD20N06LT4G , NTD2955T4G , NTD2955VT4G , NTD4860NT4G .
History: 2SK3778-01 | SM4023NSU | SUP45N05-20L | 2SK2552 | MMF60R280QTH | IRF7904 | NTJD5121NT1G
History: 2SK3778-01 | SM4023NSU | SUP45N05-20L | 2SK2552 | MMF60R280QTH | IRF7904 | NTJD5121NT1G
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent | 2n2923 | 2n2102 | mj15003g | oc75 transistor | irfp260m | 2sc1213




