NTB25P06T4G Todos los transistores

 

NTB25P06T4G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTB25P06T4G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 61 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.048 typ Ohm

Encapsulados: TO263

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NTB25P06T4G datasheet

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NTB25P06T4G

NTB25P06T4G www.VBsemi.tw P-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.048at VGS = - 10 V - 35 - 60 60 100 % Rg and UIS Tested 0.060at VGS = - 4.5 V - 30 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS S Power Switch Lo

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NTB25P06T4G

NTB25P06 Power MOSFET -60 V, -27.5 A, P-Channel D2PAK Designed for low voltage, high speed switching applications and to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. Features http //onsemi.com Pb-Free Packages are Available V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Typical Applications PWM Motor Controls -60 V 65 mW @ -10 V -27.5 A Power Supplies Converters P-Ch

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History: IRF723FI | NTR4101P | 2SK2957L | SI1028X | HY3810PM | 30N03A | STC5NF20V

 

 

 

 

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