Справочник MOSFET. NTB25P06T4G

 

NTB25P06T4G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NTB25P06T4G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 61 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 67 nC
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для NTB25P06T4G

 

 

NTB25P06T4G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1447K  cn vbsemi
 ntb25p06t4g.pdf

NTB25P06T4G NTB25P06T4G

NTB25P06T4Gwww.VBsemi.twP-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.048at VGS = - 10 V- 35- 60 60 100 % Rg and UIS Tested0.060at VGS = - 4.5 V - 30 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSS Power Switch Lo

 6.1. Size:67K  onsemi
 ntb25p06-d.pdf

NTB25P06T4G NTB25P06T4G

NTB25P06Power MOSFET-60 V, -27.5 A, P-Channel D2PAKDesigned for low voltage, high speed switching applications and towithstand high energy in the avalanche and commutation modes.Featureshttp://onsemi.com Pb-Free Packages are AvailableV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAXTypical Applications PWM Motor Controls-60 V 65 mW @ -10 V -27.5 A Power Supplies ConvertersP-Ch

 6.2. Size:129K  onsemi
 ntb25p06 nvb25p06.pdf

NTB25P06T4G NTB25P06T4G

NTB25P06, NVB25P06Power MOSFET-60 V, -27.5 A, P-Channel D2PAKDesigned for low voltage, high speed switching applications and towithstand high energy in the avalanche and commutation modes.Featureshttp://onsemi.com AEC Q101 Qualified - NVB25P06 These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAXTypical Applications-60 V 65 mW @ -10 V -27.5 A

 6.3. Size:125K  onsemi
 ntb25p06g nvb25p06.pdf

NTB25P06T4G NTB25P06T4G

NTB25P06, NVB25P06Power MOSFET-60 V, -27.5 A, P-Channel D2PAKDesigned for low voltage, high speed switching applications and towithstand high energy in the avalanche and commutation modes.Featureshttp://onsemi.com AEC Q101 Qualified - NVB25P06 These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAXTypical Applications-60 V 65 mW @ -10 V -27.5 A

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top