NTD12N10-1G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTD12N10-1G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 61 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 typ Ohm
Encapsulados: TO251
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NTD12N10-1G datasheet
ntd12n10-1g.pdf
NTD12N10-1G www.VBsemi.tw N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY DT-Trench Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature 0.115 at VGS = 10 V 15 100 % Rg Tested 100 0.120 at VGS = 6 V 15 APPLICATIONS Primary Side Switch TO-251 D G S G D S N-Channel MOSFET Top View ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwi
ntd12n10g ntd12n10t4.pdf
NTD12N10 Power MOSFET 12 Amps, 100 Volts N-Channel Enhancement-Mode DPAK http //onsemi.com Features Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Fast Recovery Diode 100 V 165 mW @ 10 V 12 A Avalanche Energy Specified IDSS and RDS(on) Specified at Elevated Temperature N-Channel Mounting Information Provided for the DPAK Pac
ntd12n10.pdf
NTD12N10 Power MOSFET 12 Amps, 100 Volts N-Channel Enhancement-Mode DPAK http //onsemi.com Features Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Fast Recovery Diode 100 V 165 mW @ 10 V 12 A Avalanche Energy Specified IDSS and RDS(on) Specified at Elevated Temperature N-Channel Mounting Information Provided for the DPAK Pac
Otros transistores... NCE60P25K , NDS331N-NL , NDS332P-NL , NDS9948-NL , NIF5002NT1G , NIF5002NT3G , NT2955G , NTB25P06T4G , AO3400A , NTD20N06LT4G , NTD2955T4G , NTD2955VT4G , NTD4860NT4G , NTD5807NT , NTD5865NL-1G , NTD5865NLT4G , NTD6416ANT .
History: NCE4606 | STD55N4F5 | 2N6659X | STG8820 | RD3P200SNFRA | AGM405A
History: NCE4606 | STD55N4F5 | 2N6659X | STG8820 | RD3P200SNFRA | AGM405A
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Liste
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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