NTD12N10-1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NTD12N10-1G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 61 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTD12N10-1G

NTD12N10-1G Datasheet (PDF)

..1. Size:867K cn vbsemi
ntd12n10-1g.pdf

NTD12N10-1Gwww.VBsemi.twN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY DT-Trench Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature0.115 at VGS = 10 V15 100 % Rg Tested1000.120 at VGS = 6 V 15APPLICATIONS Primary Side SwitchTO-251DGSG D SN-Channel MOSFETTop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwi

6.1. Size:155K onsemi
ntd12n10g ntd12n10t4.pdf

NTD12N10Power MOSFET12 Amps, 100 VoltsN-Channel Enhancement-Mode DPAKhttp://onsemi.comFeatures Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a DiscreteV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAXFast Recovery Diode100 V 165 mW @ 10 V 12 A Avalanche Energy Specified IDSS and RDS(on) Specified at Elevated TemperatureN-Channel Mounting Information Provided for the DPAK Pac

6.2. Size:158K onsemi
ntd12n10.pdf