NTD12N10-1G. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: NTD12N10-1G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 61 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 typ Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для NTD12N10-1G
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
NTD12N10-1G даташит
ntd12n10-1g.pdf
NTD12N10-1G www.VBsemi.tw N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY DT-Trench Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature 0.115 at VGS = 10 V 15 100 % Rg Tested 100 0.120 at VGS = 6 V 15 APPLICATIONS Primary Side Switch TO-251 D G S G D S N-Channel MOSFET Top View ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwi
ntd12n10g ntd12n10t4.pdf
NTD12N10 Power MOSFET 12 Amps, 100 Volts N-Channel Enhancement-Mode DPAK http //onsemi.com Features Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Fast Recovery Diode 100 V 165 mW @ 10 V 12 A Avalanche Energy Specified IDSS and RDS(on) Specified at Elevated Temperature N-Channel Mounting Information Provided for the DPAK Pac
ntd12n10.pdf
NTD12N10 Power MOSFET 12 Amps, 100 Volts N-Channel Enhancement-Mode DPAK http //onsemi.com Features Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Fast Recovery Diode 100 V 165 mW @ 10 V 12 A Avalanche Energy Specified IDSS and RDS(on) Specified at Elevated Temperature N-Channel Mounting Information Provided for the DPAK Pac
Другие MOSFET... NCE60P25K , NDS331N-NL , NDS332P-NL , NDS9948-NL , NIF5002NT1G , NIF5002NT3G , NT2955G , NTB25P06T4G , AO3400A , NTD20N06LT4G , NTD2955T4G , NTD2955VT4G , NTD4860NT4G , NTD5807NT , NTD5865NL-1G , NTD5865NLT4G , NTD6416ANT .
History: SM6106PSK | 2SK3298 | WMPN40N50D1 | IRFB4610
History: SM6106PSK | 2SK3298 | WMPN40N50D1 | IRFB4610
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
mj15003g | oc75 transistor | irfp260m | 2sc1213 | a1491 transistor | 2sc897 | 2sa818 | 2sa763



