NTS2101PT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTS2101PT1G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08(typ) Ohm
Paquete / Cubierta: SC70
NTS2101PT1G Datasheet (PDF)
nts2101pt1g.pdf

NTS2101PT1Gwww.VBsemi.twP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)c Qg (Typ.)Definition0.080 at VGS = - 4.5 V - 3.1 TrenchFET Power MOSFET4.3 nC- 200.100 at VGS = - 2.5 V - 2.3 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switch DC/DC Conv
nts2101p-d nts2101pt1.pdf

NTS2101PPower MOSFET-8.0 V, -1.4 A, Single P-Channel, SC-70Features Leading Trench Technology for Low RDS(on) Extending Battery Life http://onsemi.com -1.8 V Rated for Low Voltage Gate DriveV(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max SC-70 Surface Mount for Small Footprint (2 x 2 mm)65 mW @ -4.5 V Pb-Free Package is Available-8.0 V78 mW @ -2.5 V -1.4 AApplications High
nts2101p.pdf

NTS2101PPower MOSFET-8.0 V, -1.4 A, Single P-Channel, SC-70Features Leading Trench Technology for Low RDS(on) Extending Battery Life http://onsemi.com -1.8 V Rated for Low Voltage Gate DriveV(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max SC-70 Surface Mount for Small Footprint (2 x 2 mm)65 mW @ -4.5 V Pb-Free Package is Available-8.0 V78 mW @ -2.5 V -1.4 AApplications High
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