NTS2101PT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NTS2101PT1G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 4.3 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SC70

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTS2101PT1G

NTS2101PT1G Datasheet (PDF)

..1. Size:2292K cn vbsemi
nts2101pt1g.pdf

NTS2101PT1Gwww.VBsemi.twP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)c Qg (Typ.)Definition0.080 at VGS = - 4.5 V - 3.1 TrenchFET Power MOSFET4.3 nC- 200.100 at VGS = - 2.5 V - 2.3 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switch DC/DC Conv

4.1. Size:61K onsemi
nts2101p-d nts2101pt1.pdf

NTS2101PPower MOSFET-8.0 V, -1.4 A, Single P-Channel, SC-70Features Leading Trench Technology for Low RDS(on) Extending Battery Life http://onsemi.com -1.8 V Rated for Low Voltage Gate DriveV(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max SC-70 Surface Mount for Small Footprint (2 x 2 mm)65 mW @ -4.5 V Pb-Free Package is Available-8.0 V78 mW @ -2.5 V -1.4 AApplications High

6.1. Size:61K onsemi
nts2101p.pdf

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: