Справочник MOSFET. NTS2101PT1G

 

NTS2101PT1G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NTS2101PT1G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.3 nC
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08(typ) Ohm
   Тип корпуса: SC70

 Аналог (замена) для NTS2101PT1G

 

 

NTS2101PT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2292K  cn vbsemi
 nts2101pt1g.pdf

NTS2101PT1G NTS2101PT1G

NTS2101PT1Gwww.VBsemi.twP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)c Qg (Typ.)Definition0.080 at VGS = - 4.5 V - 3.1 TrenchFET Power MOSFET4.3 nC- 200.100 at VGS = - 2.5 V - 2.3 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switch DC/DC Conv

 4.1. Size:61K  onsemi
 nts2101p-d nts2101pt1.pdf

NTS2101PT1G NTS2101PT1G

NTS2101PPower MOSFET-8.0 V, -1.4 A, Single P-Channel, SC-70Features Leading Trench Technology for Low RDS(on) Extending Battery Life http://onsemi.com -1.8 V Rated for Low Voltage Gate DriveV(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max SC-70 Surface Mount for Small Footprint (2 x 2 mm)65 mW @ -4.5 V Pb-Free Package is Available-8.0 V78 mW @ -2.5 V -1.4 AApplications High

 6.1. Size:61K  onsemi
 nts2101p.pdf

NTS2101PT1G NTS2101PT1G

NTS2101PPower MOSFET-8.0 V, -1.4 A, Single P-Channel, SC-70Features Leading Trench Technology for Low RDS(on) Extending Battery Life http://onsemi.com -1.8 V Rated for Low Voltage Gate DriveV(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max SC-70 Surface Mount for Small Footprint (2 x 2 mm)65 mW @ -4.5 V Pb-Free Package is Available-8.0 V78 mW @ -2.5 V -1.4 AApplications High

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top