PHK12NQ03L Todos los transistores

 

PHK12NQ03L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHK12NQ03L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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PHK12NQ03L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:823K  cn vbsemi
 phk12nq03l.pdf pdf_icon

PHK12NQ03L

PHK12NQ03Lwww.VBsemi.twN-Channel 20V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 1220 6.1 nC Optimized for High-Side Synchronous0.015 at VGS = 4.5 V 11Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Notebook CPU Core- High-Side Switch

Otros transistores... NTS2101PT1G , NTS4101PT1G , P0603BVG , P120NF10 , P60NF06 , P80NF55-08 , PHB32N06 , PHD78NQ03L , IRFZ44N , RFD15P05SM , RFP6P08 , RJK0822SPN , RRS130N03 , RSS100N03T , SDM4953A , SI1539CDL-T1 , SI1553CDL-T1-GE3 .

History: WMB240P10HG4 | ME80N08AF-G

 

 
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