PHK12NQ03L Todos los transistores

 

PHK12NQ03L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHK12NQ03L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 typ Ohm

Encapsulados: SO8

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PHK12NQ03L datasheet

 ..1. Size:823K  cn vbsemi
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PHK12NQ03L

PHK12NQ03L www.VBsemi.tw N-Channel 20V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.012 at VGS = 10 V 12 20 6.1 nC Optimized for High-Side Synchronous 0.015 at VGS = 4.5 V 11 Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested APPLICATIONS Notebook CPU Core - High-Side Switch

Otros transistores... NTS2101PT1G , NTS4101PT1G , P0603BVG , P120NF10 , P60NF06 , P80NF55-08 , PHB32N06 , PHD78NQ03L , IRFZ44N , RFD15P05SM , RFP6P08 , RJK0822SPN , RRS130N03 , RSS100N03T , SDM4953A , SI1539CDL-T1 , SI1553CDL-T1-GE3 .

History: AP4800BGM-HF | 2SK922 | SIR422DP-T1-GE3 | SUD50P06-15L-GE3

 

 

 

 

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